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內(nèi)容摘要：12月19日消息，光刻機(jī)，似乎是中國(guó)在高科技領(lǐng)域的最后一個(gè)攔路虎了！據(jù)外媒報(bào)道，中國(guó)一家秘密實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)悄然組裝出第一臺(tái)EUV極紫外光刻系統(tǒng)的原型機(jī)，是通過(guò)逆向工程ASML現(xiàn)有的光刻機(jī)產(chǎn)品而來(lái)的，正處于

12月19日消息，曝中光刻機(jī)，國(guó)秘光刻似乎是密搞中國(guó)在高科技領(lǐng)域的最后一個(gè)攔路虎了！

據(jù)外媒報(bào)道，定第中國(guó)一家秘密實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)悄然組裝出第一臺(tái)EUV極紫外光刻系統(tǒng)的機(jī)逆原型機(jī)，是向功通過(guò)逆向工程ASML現(xiàn)有的光刻機(jī)產(chǎn)品而來(lái)的，正處于秘密測(cè)試階段，曝中計(jì)劃2028年試產(chǎn)原型芯片。國(guó)秘光刻

如果消息屬實(shí)，密搞無(wú)疑是定第中國(guó)的一次飛躍式突破，短短數(shù)年就掌握了原本需要數(shù)十年的機(jī)逆技術(shù)。

消息稱，向功這一EUV光刻機(jī)原型是曝中2025年初在深圳一處安保嚴(yán)密的設(shè)施內(nèi)組裝完成的，幾乎覆蓋了整個(gè)廠房。國(guó)秘光刻

它沒(méi)有采用清華大學(xué)研發(fā)的密搞基于粒子加速器的穩(wěn)態(tài)微聚束(SSMB)技術(shù)，也沒(méi)有使用哈爾濱工業(yè)大學(xué)開(kāi)發(fā)的放電等離子體(DPP)技術(shù)，而是和ASML Twinscan NXE系列光刻機(jī)相同的激光等離子體(LPP)技術(shù)，可產(chǎn)生波長(zhǎng)為13.5納米的極紫外光。

外媒稱，這說(shuō)明它使用了逆向工程手段，至少整合了大量由ASML首創(chuàng)的核心技術(shù)。

ASML LPP技術(shù)原理如下：

首先將直徑約25-30微米的熔融錫液滴，以每秒約5萬(wàn)個(gè)的速度，注入真空腔體內(nèi)。

隨后，一臺(tái)高功率二氧化碳激光器，向每個(gè)液滴發(fā)射一束低強(qiáng)度預(yù)脈沖激光，將液滴壓平成圓盤(pán)狀。

緊接著再發(fā)射一束能量更強(qiáng)的主脈沖激光，將被壓平的錫靶汽化，形成溫度超過(guò)20萬(wàn)攝氏度的超高溫等離子體。

這種等離子體可發(fā)射出各向同性的極紫外光，隨后由大型多層膜收集鏡收集，并導(dǎo)入光刻機(jī)的反射光學(xué)系統(tǒng)，最終完成對(duì)硅晶圓的光刻成像。

這一過(guò)程每秒可重復(fù)數(shù)萬(wàn)次。

報(bào)道指出，中國(guó)版EUV光刻機(jī)的體積顯著大于ASML同類產(chǎn)品，但已經(jīng)具備極紫外光的生成能力，只是尚未能制造出可用芯片。

關(guān)鍵瓶頸在于，中國(guó)仍無(wú)法復(fù)刻出ASML的高精度光學(xué)系統(tǒng)，甚至無(wú)法將極紫外光精準(zhǔn)投射到晶圓上，更談不上完成光刻成像。

同時(shí)，極紫外光源的功率指標(biāo)也不清楚，這是決定光刻機(jī)能否實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的核心參數(shù)。

此外，超高精度收集鏡系統(tǒng)、照明光學(xué)系統(tǒng)、投影光學(xué)系統(tǒng)、晶圓存儲(chǔ)系統(tǒng)、晶圓臺(tái)、掩模臺(tái)等光刻機(jī)核心部件的研發(fā)進(jìn)度，也均屬未知。

報(bào)道提到，中國(guó)EUV光刻機(jī)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)由前ASML工程師和應(yīng)屆大學(xué)畢業(yè)生組成，不僅聘請(qǐng)了ASML中國(guó)分公司的前員工，還吸納了ASML在美國(guó)、歐洲、中國(guó)臺(tái)灣的前雇員。

比如曾負(fù)責(zé)ASML EUV光源技術(shù)的林楠，目前在中科院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)開(kāi)展研發(fā)，在短短18個(gè)月內(nèi)就申請(qǐng)了8項(xiàng)EUV相關(guān)專利。

報(bào)道還強(qiáng)調(diào)，為了保密，團(tuán)隊(duì)普遍都是用了假身份。

據(jù)說(shuō)團(tuán)隊(duì)的規(guī)劃是希望能在2028年，也就是未來(lái)兩三年內(nèi)，產(chǎn)出首批芯片原型，但外媒認(rèn)為2030年才是更現(xiàn)實(shí)的時(shí)間節(jié)點(diǎn)。

需要明確的是，高端光刻機(jī)的研發(fā)，離不開(kāi)精密光源、先進(jìn)光學(xué)、超高精度機(jī)械、復(fù)雜控制軟件、特種材料等多個(gè)領(lǐng)域技術(shù)的深度集成，而且所有系統(tǒng)都必須在納米級(jí)公差范圍內(nèi)穩(wěn)定、長(zhǎng)期運(yùn)行。

EUV光刻機(jī)更是極為龐雜，包含超過(guò)10萬(wàn)個(gè)零部件，對(duì)其進(jìn)行逆向復(fù)刻的難度堪比登天，需要幾百名具備專業(yè)知識(shí)的工程師協(xié)同攻關(guān)，也不一定能成功。

ASML在看到報(bào)道后也聲明稱：“想要復(fù)刻我們的技術(shù)，這一想法可以理解，但真正付諸實(shí)踐絕非易事。”

綜合來(lái)看，外媒的報(bào)道往往存在大量誤導(dǎo)甚至錯(cuò)誤信息，大家看看就好。