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高通最強(qiáng)Soc！驍龍8 Elite Gen6前瞻：臺(tái)積電2nm工藝 性能激進(jìn)

發(fā)布時(shí)間：2025-12-18 04:12:39 來(lái)源：企業(yè)錄(m.zj28.net)-公司信息發(fā)布,網(wǎng)上買賣交易門戶 作者：熱點(diǎn)

據(jù)博主數(shù)碼閑聊站透露，高通工藝高通正在籌備的最強(qiáng)瞻臺(tái)下一代旗艦芯片將命名為驍龍8 Elite Gen6。該系列將繼續(xù)定位于高端旗艦市場(chǎng)，驍性采用臺(tái)積電最新的積電激進(jìn)N2P工藝制程，在能效與性能表現(xiàn)上實(shí)現(xiàn)跨代提升。高通工藝

值得關(guān)注的最強(qiáng)瞻臺(tái)是，本次高通將首次推出 標(biāo)準(zhǔn)版與Pro版 兩種型號(hào)，驍性以滿足不同旗艦產(chǎn)品的積電激進(jìn)性能需求。據(jù)爆料信息顯示，高通工藝驍龍8 Elite Gen6繼續(xù)啟用自研CPU，最強(qiáng)瞻臺(tái)整體架構(gòu)由此前的驍性2+6改為2+3+3。

這一設(shè)計(jì)思路有望在多核并行和能效控制上帶來(lái)顯著改進(jìn)。積電激進(jìn)其中，高通工藝兩顆超大核預(yù)計(jì)將主打峰值性能輸出，最強(qiáng)瞻臺(tái)用于高負(fù)載任務(wù)；三顆性能核心負(fù)責(zé)中高強(qiáng)度計(jì)算；其余三顆高效核心則在日常輕負(fù)載場(chǎng)景中保持能耗優(yōu)勢(shì)，驍性實(shí)現(xiàn)功耗與性能的動(dòng)態(tài)平衡。

另外，兩種版本在GPU方面也會(huì)拉開(kāi)差距，Pro版將搭載更高規(guī)格的GPU單元，在圖形渲染、AI加速及游戲表現(xiàn)方面均有增強(qiáng)，同時(shí)將支持最新一代 LPDDR6 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。標(biāo)準(zhǔn)版則主打旗艦級(jí)的綜合體驗(yàn)與能效表現(xiàn)，更適合主流高端機(jī)型搭載。

部分行業(yè)爆料人士還指出，驍龍8 Elite Gen6 Pro的“PPT 性能指標(biāo)”非常激進(jìn)，整體規(guī)格堪稱“滿血版”。結(jié)合此前評(píng)論區(qū)信息推測(cè)，新一代芯片將與UFS 5.0 閃存、LPDDR6內(nèi)存以及2nm級(jí)別制程技術(shù)深度匹配，進(jìn)一步推動(dòng)移動(dòng)平臺(tái)進(jìn)入真正意義上的“超能計(jì)算時(shí)代”。

作為參考，目前在售的第五代驍龍8至尊版芯片仍采用2+6架構(gòu)，雙Prime核心主頻最高達(dá)到4.6GHz，六個(gè)性能核心運(yùn)行于3.62GHz。

該芯片在 CPU 性能上較前代提升約20%，能效提升 35%，整體功耗下降16%。由此可見(jiàn)，N2P 工藝與全新 CPU 架構(gòu)的結(jié)合，有望使第六代平臺(tái)在多核算力、AI 處理效率及功耗控制等方面全面超越當(dāng)前旗艦標(biāo)準(zhǔn)。

綜合來(lái)看，驍龍8 Elite Gen 6系列的推出將再次推動(dòng)移動(dòng)芯片邁向更高能效比與算力密度的階段，也將成為 2026 年旗艦手機(jī)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵核心之一。無(wú)論是標(biāo)準(zhǔn)版還是Pro版，都預(yù)示著高通在自研架構(gòu)與制程工藝深度協(xié)同方面邁出了又一重要步伐。

編輯點(diǎn)評(píng)：

驍龍 8 Elite Gen 6 的出現(xiàn)，意味著高通正式進(jìn)入2nm級(jí)制程與深度自研架構(gòu)并行推進(jìn)的階段。相比以往的“小步快跑”策略，這一代產(chǎn)品更像是全面革新的節(jié)點(diǎn)。

從2+3+3的新架構(gòu)到LPDDR6與N2P工藝的引入，性能和能效的提升空間都相當(dāng)可觀。然而，制程成本的攀升也將直接影響終端定價(jià)，旗艦手機(jī)或?qū)⒃俅紊咸絻r(jià)格區(qū)間。

總體來(lái)看，這一代驍龍旗艦更像是高通為未來(lái)三年智能手機(jī)平臺(tái)打下的“算力底座”，其真實(shí)表現(xiàn)值得期待。

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